製品・サービス情報
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【プリンテッドエレクトロニクス材料 製品カタログ】
右の画像をクリックすると、プリンテッドエレクトロニクス材料の情報をまとめた製品カタログをダウンロードできます。
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CVDグラフェン薄膜
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【原子構造】
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【ラマンスペクトル】
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【撮影像】

SEM |
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TEM |
製品名 |
仕様 |
サイズ |
税別価格 |
型式 |
グラフェンフィルム |
基板 |
GraphenX Synthetic
Graphene Nanoplatelets |
Transparency: >97%
Coverage: >95%
Thickness(theoretical): 0.345nm
FET Electron Mobility on Al2O3:
2000cm2/Vs
FET Electron Mobility on SiO2/Si:
4000cm2/Vs
Sheet Resistance:
580±50 Ohms/sq(1cm×1cm)
Grain size: Up to 10μm |
SiO2/Si
Dry Oxide Thickness: 300nm(±5%)
Type/Dopant:P/Bor
Orientation: <100>
Resistivity: <0.005Ohm・cm
Thickness: 525±20μm
Front surface: Single Side Polished
Back Surface: Etched
Particles: <10@0.3μm |
10×10mm |
¥200,000 |
080105 |
Monolayer Graphene
Film PET-4 |
Transparency: >97%
Coverage: >95%
Thickness(theoretical): 0.345nm
FET Electron Mobility on Al2O3:
2000cm2/Vs
Hall Electron Mobility on SiO2/Si:
4000cm2/Vs
Sheet Resistance:
580±50 Ohms/sq(1cm×1cm)
Grain size: Up to 10μm |
PET
Thickness: 175μm |
10×10mm |
¥198,000 |
080303 |
Monolayer Graphene
Film on Quartz 4"
wafer |
Transparency: >97%
Coverage: >95%
Thickness(theoretical): 0.345nm
FET Electron Mobility on Al2O3:
2000cm2/Vs
Hall Electron Mobility on SiO2/Si:
4000cm2/Vs
Sheet Resistance:
370±10 Ohms/sq(1cm×1cm)
Grain size: Up to 10μm |
Quartz
Thickness: 500μm Flatness
Bow: 20μm
Warp: 30μm
Roughness: 6Å(on the polished side)
Polished: Double side |
10×10mm |
¥198,000 |
080502 |
Monolayer Graphene
Film on Si-SIO2-4"
round wafer |
Transparency: >97%
Coverage: >95%
Thickness(theoretical): 0.345nm
FET Electron Mobility on Al2O3:
2000cm2/Vs
FET Electron Mobility on SiO2/Si:
4000cm2/Vs
Sheet Resistance:
580±50 Ohms/sq(1cm×1cm)
Grain size: Up to 10μm |
SiO2/Si
Dry Oxide Thickness: 300nm±5%
Type/Dopant: P/Bar
Orientation: <100>
Resistivity: <0.005Ohm・cm
Thickness: 525±20μm
Front surface: Single Side Polished
Back Surface: Etched
Particles: <10@0.3μm |
10×10mm |
¥198,000 |
080103 |
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酸化グラフェン
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酸化グラフェン膜は、任意の基板上に堆積させることが可能です。
酸化グラフェンは、エレクトロニクス、太陽電池、化学センサーなどへフレキシブルに使用可能であり、透明導電膜の製造に適しています。比表面積が高く、電池、コンデンサー、太陽電池用の電極材料として使用されます。酸化グラフェンは安価で、グラフェンよりも製造が容易です。
酸化グラフェンは容易に、異なるポリマー及び他の材料と混合し、引張強度、弾性率、導電率など複合材料の特性を向上させます。酸化グラフェンの構造は、水素貯蔵、イオン導電体及びナノ濾過膜の用途に使用可能です。バイオセンシング及び疾患検出、薬物送達や抗菌材料のために酸化グラフェンは、生物医学分野のために応用できる可能性があります。 |
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【分子構造】
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【XPS測定データ】
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【応用】
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グラフェン酸化物の用途は、その高い溶解性とグラフェンに還元する能力などにより多数です。機械的特性の改良および導電性の強化のため添加剤の役割があります。他のナノ材料に比べて分散の問題も克服しています。 |
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【税別価格】
製品名 |
仕様 |
サイズ |
税別価格 |
型式 |
参考画像 |
Graphene Oxide Gel |
Purity: >99wt%
Layers: <3
Thickness: 0.55-1.2nm
X&Y Dimensions: 0.5-3μm
Color: Brown
Physical State: Aqueous Gel |
1g |
¥58,000 |
060105 |
SEM
AFM |
Reduced Graphene Oxide |
Size: 300-800nm lateral dimensions
Thickness: 0.7-1.2nm by AFM
Solubility: Surfactant assisted
dispersion is necessary
Purity: 99wt%
Elemental Analysis:
C:91.5%, O:8.01%, H:0.94%
C to O Mass Ratio: 11.37 |
1g |
¥115,000 |
060104 |
SEM
XPS
TGA |
Single Layer Graphene Oxide |
Size: 1-20μm lateral dimensions
Thickness: 0.7-1.2nm by AFM
Solubility: DI Water, NMP, DCB, DMF, and
other solvents that behave like water
Purity: 99wt%
Elemental Analysis:
typical values C:35-42%, O:45-55%, H:3-5% |
1g |
¥115,000 |
060103 |
AFM |
Size: <450nm X&Y
Thickness: 0.7-1.2nm by AFM
Solubility: DI Water, NMP, DCB, or DMF
Purity: 99wt%
Elemental Analysis:
C:35-42%, O:45-55%, H:3-5% |
1g |
¥115,000 |
060101 |
AFM |
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グラフェンナノプレートレット
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グラフェンナノプレートレットは、プラスチックや樹脂に2-5wt%添加されると、強度、剛性、また表面靭性などの機械的特性を向上させると同時に、電気や熱の伝導性とガスの不透過性を向上させます。
グラフェンナノプレートレットの特性は、その製造方法によって影響されます。グラフェンナノプレートレットは、5-15原子層のグラファイトを剥離することによって作られています。一般的に使用されるプロセスは、化学剥離やプラズマによるドライ剥離です。誘電体バリア放電は、ドライプロセスであり、私達のグラフェンナノプレートレットが作られている方法です。
グラフェンナノプレートレット構造は、六角形の炭素原子の平行なシートの堆積として考えることができます。ファンデルワールス相互作用により、それらは容易に再凝集します。代表的な厚さは5-20層です。 |
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【原子構造】
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【アプリケーション】

【税別価格】
製品名 |
仕様 |
サイズ |
税別価格 |
型式 |
参考画像 |
GrapheneX Synthetic
Graphene Nanoplatelets |
厚み: 2nm
寸法: 20-100nm
surface area: >1025 M2/g |
1g |
¥32,000 |
050118 |
TEM
Roman Spectra
GDMS
Surface Area |
N2 Functionalized
Graphene Nanoplatelets |
N2官能化
厚み: 3-10nm |
1g |
¥30,000 |
050115 |
TEM |
SI Decorated Graphene
Nanoplatelets |
シリコンドープ
厚み: 3-10nm |
1g |
¥30,000 |
050119 |
TEM |
F Functionalized
Graphene Nanoplatelets |
フルオロ官能化
厚み: 3-10nm |
1g |
¥30,000 |
050116 |
TEM |
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カーボンナノチューブ
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カーボンナノチューブは、主として高いアスペクト比とすべての炭素構造に剛性および強度特性を追加することが証明されています。カーボンナノチューブの特性の熱および電気伝導性は、他の導電性または繊維質添加材料のよりもはるかに高いです。界面活性剤は、DI水または他の水性溶媒混合物中で分散液を安定化させるために使用されます。使用される最も一般的な界面活性剤は、PVP、SDS、またはSDBSがあります。カーボンナノチューブ中の炭素原子は、各原子が3つの隣接原子に強い化学結合を介して接続された平面状のハニカム格子構造に配置されています。これらの強力な結合は、グラファイトの基底面弾性率が任意の公知の材料の中で最大の1つである理由です。原子レベルでの強力な結合と高アスペクト比を有するカーボンナノチューブは、最終的に高強度繊維であることが期待されます。
【税別価格】
製品名 |
仕様 |
サイズ |
税別価格 |
型式 |
参考画像 |
Multi Walled Carbon Nanotubes |
Outer Diameter: 50-80nm
Inside Diameter: 5-10nm
Ash: <1.5wt%
Purity: >95wt%
Length: 10-20μm
Specific Surface Area: 60m2/g
Electrical Conductivity: >100S/cm
Bulk density: 0.18g/cm3
True density: ~2.1g/cm3 |
100g |
¥52,000 |
030107 |
TEM |
Outer Diameter: 30-50nm
Inside Diameter: 5-10nm
Ash: <1.5wt%
Purity: >95wt%
Length: 10-20μm
Specific Surface Area: 60m2/g
Electrical Conductivity: >100S/cm
Bulk density: 0.28g/cm3
True density: ~2.1g/cm3 |
100g |
¥52,000 |
030106 |
TEM |
Outer Diameter: 20-30nm
Inside Diameter: 5-10nm
Ash: <1.5wt%
Purity: >95wt%
Length: 10-30μm
Specific Surface Area: 110m2/g
Electrical Conductivity: >100S/cm
Bulk density: 0.28g/cm3
True density: ~2.1g/cm3 |
100g |
¥53,000 |
030104 |
TEM |
Outer Diameter: 10-20nm
Inside Diameter: 3-5nm
Ash: <1.5wt%
Purity: >95wt%
Length: 10-30μm
Specific Surface Area: 233m2/g
Electrical Conductivity: >100S/cm
Bulk density: 0.22g/cm3
True density: ~2.1g/cm3 |
10g |
¥42,000 |
030103 |
TEM |
Thin Walled Carbon Nanotubes |
Outer Diameter: 3-5nm
Length: 5-30nm
Purity: >90wt%
SSA: 490m2/g
ASH: <5%
EC: >100s/cm
Tap Density: >0.14g/cm3
Ignition Temperature: 610C
Ig/Id: >20 |
1g |
¥84,000 |
010109 |
TEM |
N2 Functionalized Single
Walled-Double Walled
Carbon Nanotubes |
Outer Diameter: 1-4nm
Inside Diameter: 0.8-1.6nm
Ash: <0wt%
Purity: >99wt%
Length: 3-30μm
SWCNT/DWCNT Mix approximately: 50/50
Possible MWCNT content: <2%
Primary Functionality: N-H |
1g |
¥84,000 |
010105 |
TEM |
F Functionalized Single
Walled-Double Walled
Carbon Nanotubes |
Outer Diameter: 1-4nm
Inside Diameter: 0.8-1.6nm
Ash: <0wt%
Purity: >99wt%
Length: 3-30μm
SWCNT/DWCNT Mix approximately: 50/50
Possible MWCNT content: <2%
Primary Functionality: Fx |
1g |
¥84,000 |
010106 |
TEM |
Short COOH
Functionalized Single
Walled-Double Walled
Carbon Nanotubes |
Outer Diameter: 1-4nm
Inside Diameter: 0.8-1.6nm
Ash: <1.5wt%
Purity: >90wt%
Additional MWNT content: >5wt%
Amorphous Carbon Content: <3wt%
Length: 0.5-2.0μm
Specific Surface Area: 407m2/g
Electrical Conductivity: >100S/cm
Bulk density: 0.14g/cm3
True density: ~2.1g/cm3 |
1g |
¥61,000 |
010403 |
TEM |
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ナノワイヤー
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太陽電池、透明導電膜や他のアプリケーションのための銀ナノワイヤーです。 |
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【税別価格】
製品名 |
仕様 |
サイズ |
税別価格 |
型式 |
参考画像 |
Silver Nanowires |
OD: 70-140nm
Length: Predominately 20-90μm |
1g |
お問合せ |
050101 |
Nanowire image |
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ナノインク
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高感度センサー、デバイス、及び他の最先端のアプリケーションのためのグラフェンインクです。
リサーチグレードのグラフェンナノプレートレットで生産されます。
お気軽にお問合せください。 |
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【税別価格】
製品名 |
仕様 |
サイズ |
税別価格 |
型式 |
Graphene Ink |
抵抗: 25-50 ohms
厚み: 25μm |
お問合せ |
お問合せ |
550101 |
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