製品・サービス情報
|
|
Quantum Solutions社製品
量子ドット/ペロブスカイト |
|
 |
Quantum Solutions 社（イギリス）は、サウジアラビアのアプドラ王立科学技術大学のスタートアップ企業です。液晶ディスプレイ、発光ダイオード、太陽電池、光検出器用途の量子ドットを開発、販売しています。独自の技術により開発されたペロプスカイト単結晶は、オプトエレクトロニクス用途において注目されています。また、量子ドットの高品質を維持するために、高い品質管理基準及び最新の設備を揃えています。
|
 InAs コアシェル量子ドット（QDotsTM InAs Core Shell Quantum Dots）
|
InAs コアシェル量子ドットはカドミウム、鉛、水銀を含まず、RoHS 指令に準拠したナノ材料で、紫外可視領域から赤外領域まで幅広い光吸収と、750-1300nm
(近赤外（NIR）および短波赤外（SWIR））の範囲で調整可能な発光特性を備えています。 生体医療画像処理、近赤外線/短波赤外線 LED、赤外線光検出器、通信用光電子機器、赤外線発光インクなど幅広い用途に対応します。
アプリケーション：LED ダウンコンバージョン
|
光ルミネセンスダウンコンバージョンへの応用では、可視光または紫外線（UV）LED で InAs コアシェル量子ドットを含む薄膜が励起します。量子ドットは入射光子を吸収し、正確に定義された波長で高効率の赤外線を再放出します。
このアーキテクチャは、マシンビジョン、センシング、セキュリティ、生物医学用途向けの赤外線照明光源を費用対効果が高く拡張性の高い方法で製造することを可能にします。
|
アプリケーション：赤外線 QLED デバイス
|
InAs コアシェル量子ドットの層をエレクトロルミネッセンスデバイス構造に直接組み込むことが可能です。この構成では、電流が直接近赤外線または短波赤外線光子に変換されるため、小型赤外線
LED、QLED、光通信機器、量子ドットレーザー技術の実現が可能になります。
|
アプリケーション：セキュリティタグ付けと認証
|
InAs コアシェル量子ドットの狭帯域赤外線発光は、人間の目には見えないものの、カメラや光検出器で容易に検出でき、光学的署名を可能にします。これらの特性により、偽造防止、製品認証、セキュリティ印刷、機械読み取り可能なタグ付けなどの用途の実現が可能になります。 |
アプリケーション：生物学的イメージングと細胞標識
|
近赤外線発光は、可視光蛍光体と比較してコントラストを向上させ、多重イメージングや高度な診断技術を可能にします。重金属を含まない組成は、研究用途において従来のカドミウムや鉛ベースとして赤外線発光体に対する有効な代替品となります。
【特長】
|
| 1. |
750-1300nm の範囲で発光波長を調製可能 |
| 2. |
スピンコーター、インクジェットプリント、その他のプリント技術に対応しており、赤外線発光フィルムやデバイスの費用対効果の高い製造が可能。 |
| 3. |
鉛、カドミウム、水銀を含まず、RoHS 指令に準拠 |
|
 |
（価格・ラインナップ）
|
| 製品 |
容量 |
税別価格 |
カタログ# |
データシート |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 750nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-750-em CS |
 |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 800nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-800-em CS |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 850nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-850-em CS |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 900nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-900-em CS |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 1000nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-1000-em CS |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 1100nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-1100-em CS |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 1200nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-1200-em CS |
| Q.Dot InAs Core Shell Quantum Dots, 1300nm Emission, peak, in Toluene or
Octane |
5mL |
お問合せ |
InAs-1300-em CS |
|
|
 Perovskite X-ray Scintillator
|
◆QDotTM Perovskite X-ray Scintillator
|
電離放射線を可視光子に変換できるX線シンチレータは、検査、故障/亀裂検出、セキュリティ用X線イメージング、核カメラ、コンピュータ断層撮影などの分野で非常に重要です。高い光出力、優れた解像度、高い放射線耐性の組み合わせにより、CsI（TI）およびGADOXシンチレータに代わる効率的なX線シンチレータとして使用できます。
・非常に短い減衰時間、残光が少ない
・鉛フリーシンチレータ
・ロール to ロール生産による高いコストパフォーマンス |
|
 |
（価格・ラインナップ）
|
| 製品 |
サイズ |
税別価格 |
カタログ＃ |
データシート |
| Lead-free Perovskite X-ray scintillator |
1g |
お問合せ |
QDotTM Perovskite X-ray Scintillator |
|
|
|
|
 ペロブスカイト量子ドット（QDotTM Perovskite ABX3 Quantum Dots）
|
鉛ハロゲン化物ペロブスカイト量子ドット（APbX3）です。高フォトルミネッセンス効率及び狭い発光半値幅、発光ピークを有します。
・410～685nm の発光ピークに対応
・狭いFWHM（20-25nm）、高PLQY（最大100％）
・カドミウムフリー、低鉛含有 |
|
製品イメージ |
（価格・ラインナップ）
|
| 製品 |
タイプ |
サイズ |
税別価格 |
カタログ# |
データシート |
Perovskite quantum dots,
450nm peak emission,
10mg/ml in toluene |
CsPb(Cl/Br)3 |
100mg |
お問合せ |
QDot ABX3-450 |
|
Perovskite quantum dots,
480nm peak emission,
10mg/ml in toluene |
CsPb(Cl/Br)3 |
お問合せ |
QDot ABX3-480 |
Perovskite quantum dots,
510nm peak emission,
10mg/ml in toluene |
CsPbBr3 |
お問合せ |
QDot ABX3-510 |
Perovskite quantum dots,
530nm peak emission,
10mg/ml in toluene |
FAPbBr3 |
お問合せ |
QDot ABX3-530 |
|
|
 ペロブスカイト単結晶
|
QDot ペロブスカイト単結晶は、高い X 線光吸収係数、長距離でバランスの取れた電子・正孔輸送、長いキャリア拡散長 (3 mmにも及ぶ)、および著しく低いトラップ密度により、優れた
X 線光電特性を備えています。この材料は、ダイレクト X 線センサーで使用される CdTe および CdZnTe (CZT) 結晶の最良の代替品として位置づけられています。CZT
は優れた吸収性を備えていますが、高温処理条件 (>900 ℃) が必要であり、構造的欠陥や組成の不均一性が問題となります。対照的に、ペロブスカイト単結晶には、低温
(100 ℃未満) または室温でも溶液技術を使用して容易に調製できるという独特の利点があり、低コストと高い処理速度で希望するサイズと厚さの結晶の制御された成長が可能になります。
QDot ペロブスカイト単結晶は、接合技術を使用して QDot X 線フォトダイオードスタック（下記イメージ）に統合できます。原理的には、QDot
X 線フォトダイオードスタックは、基板、下部電極、正孔輸送層 (HTL)、QDot ペロブスカイト単結晶吸収体、電子輸送層 (ETL)、および上部電極で構成されます。これらの新しい溶液ベースの単結晶により、感度が向上した高効率の
X 線ダイレクト検出器を低コストで作成することが可能になりました。 |
|
QDot X 線フォトダイオードスタックイメージ
|
（特長）
|
| 1. |
溶液処理された化合物半導体単結晶で、ダイレクト X 線受光素子やイメージセンサーに使用されます。 |
| 2. |
高結晶性および高純度のペロブスカイト単結晶は、低温で成長するため、血漿の化学量論および寸法を正確に制御できます。 |
| 3. |
優れた X 線光吸収係数、長距離でバランスの取れた電子・正孔輸送、長いキャリア核酸長、および高い X 線検出率を実現する著しく低いトラップ密度です。 |
⇒アプリケーションノート（英語）
⇒アプリケーションノート（日本語） |
|
 |
（価格・ラインナップ）
|
| 製品 |
数量 |
税別価格 |
カタログ# |
データシート |
| MAPbBr3 (methylammonium lead bromide) single crystal, 10x10x3 mm size |
1個 |
お問合せ |
QDot SC-MAPbBr3 |
|
| MAPbBr3 (methylammonium lead bromide) single crystal, 5x5x2 mm size |
1個 |
お問合せ |
QDot SC-MAPbBr3 |
| CsPbBr3 (cesium lead bromide) single crystal, 5x5x2 mm size |
1個 |
お問合せ |
QDot SC-CsPbBr3 |
|
|
論文及び参考文献
|
1. |
X. Gong et al. Highly efficient quantum dot near-infrared light-emitting
diodes. Nature Photonics. 2016, 10, 253-257. |
| 2. |
G. J. Supran et al. High-performance shortwave-infrared light-emitting
devices using core-shell(PbS-CdS) colloidal quantum dots. Adv. Mater. 2015,
27, 1437-1442. |
| 3. |
S. Veldhuis. Perovskite Materials for Light-Emitting Diodes and Lasers.
Advanced materials. 2016, DOI:10.1002/adma.201600669. |
| 4. |
J. Song et al. Quantum dot light-emitting diodes based on Inorganic Perovskite
Cesium Lead Halides(CsPbX3). Advanced materials. 2015, 27, 7162-7167. |
| 5. |
X. Dai et al. Solution-Processed, high-performance light-emitting diodes
based on quantum dots. Nature. 2014, 515, 96-99. |
| 6. |
O. Chen et al. Compact high-quality CdSe-CdS core-shell nanocryatals with
narrow emission line widths and suppressed blinking. Nature materials.
2013, 12, 445-451. |
|
