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Quantum Solutions社製品
量子ドット/ペロブスカイト

Quantum Solutions 社（イギリス）は、サウジアラビアのアプドラ王立科学技術大学のスタートアップ企業です。液晶ディスプレイ、発光ダイオード、太陽電池、光検出器用途の量子ドットを開発、販売しています。独自の技術により開発されたペロプスカイト単結晶は、オプトエレクトロニクス用途において注目されています。また、量子ドットの高品質を維持するために、高い品質管理基準及び最新の設備を揃えています。

Perovskite X-ray Scintillator / ペロブスカイト量子ドット / ペロブスカイト Cs4PbBr6 粉末 / ペロブスカイト単結晶 / PbSe量子ドットインク / HgTe量子ドットインク / HgTe量子ドット / InAs量子ドットインク / PbS 量子ドットインク / PbS量子ドット / InAs量子ドット / ETL&HTL材料 / SWIR カメラ / ドローン用 SWIR カメラ / アプリケーション


PbSe量子ドットインク（Q.Dot PbSe Quantum Dot n-type ink）

高効率の eSWIR（拡張短波長赤外）光検出器やイメージングセンサーの製造用に特別に設計された鉛フリーの PbSe 量子ドットインク（n型）です。
従来のセンサー技術に代わる、革新的な eSWIR センサー技術を促進させることが可能です。

【特長】
1. スピンコーティングプロセスによる基板（CMOSウェハ、シリコン、ガラス）上への簡単なワンステップ堆積により、厚い（80-100nm）量子ドット吸収体層を形成します。複数の層を堆積して、希望の厚さ 200-400nm を達成することが可能です。
2. リガンドプロセスは必要ありません。
3. 量子ドットサイズ 7～13nm の幅広い製品が入手可能で、2,000～3,000nm のピーク波長に対応しています。
4. 狭い粒度分布により、コンパクトで欠陥のない量子ドット吸収体層を形成します。

（価格・ラインナップ）
製品 容量 税別価格 カタログ# データシート
Q.Dot PbSe Quantum Dot n-type ink, 2000nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot PbSe-2000-abs n-ink
Q.Dot PbSe Quantum Dot n-type ink, 2500nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot PbSe-2500-abs n-ink
Q.Dot PbSe Quantum Dot n-type ink, 3000nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot PbSe-3000-abs n-ink


HgTe量子ドットインク（QDotsTM HgTe Quantum Dot n-type ink）

高効率の MWIR（中赤外）光検出器やイメージングセンサーの製造用に特別に設計された鉛フリーの HgTe 量子ドットインク（n型）です。
従来のセンサー技術に代わる、革新的な MWIR センサー技術を促進させることが可能です。

【特長】
1. スピンコーティングプロセスによる基板（CMOSウェハ、シリコン、ガラス）上への簡単なワンステップ堆積により、厚い（80-100nm）量子ドット吸収体層を形成します。複数の層を堆積して、希望の厚さ 200-400nm を達成することが可能です。
2. リガンドプロセスは必要ありません。
3. 量子ドットサイズ 7～10nm の幅広い製品が入手可能で、2,500～3,500nm のピーク波長に対応しています。
4. 狭い粒度分布により、コンパクトで欠陥のない量子ドット吸収体層を形成します。

（価格・ラインナップ）
製品 容量 税別価格 カタログ# データシート
Q.Dot HgTe Quantum Dot n-type ink, 2500nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot HgTe-2500-abs n-ink
Q.Dot HgTe Quantum Dot n-type ink, 3000nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot HgTe-3000-abs n-ink
Q.Dot HgTe Quantum Dot n-type ink, 3500nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot HgTe-3500-abs n-ink


HgTe量子ドット（QDotsTM HgTe Quantum Dots）

HgTe（テルル化水銀）量子ドットは、紫外線および可視光から中波赤外線（MWIR）までの広域帯吸収特性を示します。高い吸収係数と強力な光電応答性により、MWIR 光検出器およびイメージングセンサー向けの最も効果的な量子ドット吸収材の1つです。

【特長】
1. MWIR スペクトル全体にわたるバンドギャップの調整が可能
2. TEC 冷却温度動作：強い量子閉じ込めと高いキャリア移動度により、極低温冷却なしで MWIR 応用を実現でき、システムサイズ、重量、電力、コストを大幅に削減する。
3. 広帯域で調整可能な光電子特性：高い吸収係数、大きな光伝導ゲイン、バンドアライメントとドーピング制御のための柔軟な表面化学を示す。

（価格・ラインナップ）
製品 容量 税別価格 カタログ# データシート
Q.Dot HgTe Quantum Dots, 2500nm absorption peak, in solvent(toluen) 100mg お問合せ QDot HgTe-2500-abs
Q.Dot HgTe Quantum Dots, 3000nm absorption peak, in solvent(toluen) 100mg お問合せ QDot HgTe-3000-abs
Q.Dot HgTe Quantum Dots, 3500nm absorption peak, in solvent(toluen) 100mg お問合せ QDot HgTe-3500-abs


InAs量子ドットインク（QDotsTM InAs Quantum Dot n-type ink）

高効率の SWIR（短波長赤外）光検出器やイメージングセンサーの製造用に特別に設計された鉛フリーの InAs 量子ドットインク（n型）です。
従来のセンサー技術に代わる、革新的な SWIR センサー技術を促進させることが可能です。

【特長】
1. スピンコーティングプロセスによる基板（CMOSウェハ、シリコン、ガラス）上への簡単なワンステップ堆積により、厚い（80-100nm）量子ドット吸収体層を形成します。複数の層を堆積して、希望の厚さ 200-400nm を達成することが可能です。
2. リガンドプロセスは必要ありません。
3. 材料の消費量が少なく、200mm の大型ウェハに 1層をコーティングするには 5mL で十分です。
4. 量子ドットサイズ 3～8.5nm の幅広い製品が入手可能で、900～1500nm のピーク波長に対応しています。
5. 狭い粒度分布（STDV＜5-10％）により、コンパクトで欠陥のない量子ドット吸収体層を形成します。

⇒アプリケーションノート（英語）
⇒アプリケーションノート（日本語）

（価格・ラインナップ）
製品 容量 税別価格 カタログ# データシート
InAs quantum dots, n-type ink, 900nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot InAs-900-absn-ink
InAs quantum dots, n-type ink, 1000nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot InAs-1000-abs n-ink
InAs quantum dots, n-type ink, 1100nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot InAs-1100-abs n-ink
InAs quantum dots, n-type ink, 1200nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot InAs-1200-abs n-ink
InAs quantum dots, n-type ink, 1300nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot InAs-1300-abs n-ink
InAs quantum dots, n-type ink, 1400nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot InAs-1400-abs n-ink
InAs quantum dots, n-type ink, 1500nm absorption peak, 50mg/mL 5mL お問合せ QDot InAs-1500-abs n-ink


PbS量子ドットインク（QDotsTM PbS Quantum Dot n-type ink）

高効率の SWIR（短波長赤外）光検出器やイメージングセンサーの製造用に特別に設計された PbS 量子ドットインク（n型）です。
従来のセンサー技術に代わる、革新的な SWIR センサー技術を促進させることが可能です。
【特長】
1. スピンコーティングプロセスによる基板（CMOSウェハ、シリコン、ガラス）上への簡単なワンステップ体積により、厚い（80-100nm）量子ドット吸収体層を形成します。複数の層を堆積して、希望の厚さ 200-400nm を達成することが可能です。
2. リガンドプロセスは必要ありません。
3. 材料の消費量が少なく、200mm の大型ウェハに 1層をコーティングするには 5mL で十分です。
4. 量子ドットサイズ 4～12nm の幅広い製品が入手可能で、1000～2500nm のピーク波長に対応しています。
5. 狭い粒度分布（STDV＜5-10％）により、コンパクトで欠陥のない量子ドット吸収体層を形成します。

⇒アプリケーションノート（英語）
⇒アプリケーションノート（日本語）

【価格・ラインアップ】
製品 容量 税別価格 カタログ# データシート
PbS quantum dots, n-type ink, 900nm absorption peak, 100mg/mL 5mL お問合せ QDot PbS-900-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1000nm absorption peak, 100mg/mL 5mL QDot PbS-1000-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1100nm absorption peak, 100mg/mL 5mL QDot PbS-1100-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1200nm absorption peak, 100mg/mL 5mL QDot PbS-1200-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1300nm absorption peak, 100mg/mL 5mL QDot PbS-1300-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1400nm absorption peak, 100mg/mL 5mL QDot PbS-1400-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1500nm absorption peak, 100mg/mL 5mL QDot PbS-1500-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1600nm absorption peak, 100mg/mL 5mL QDot PbS-1600-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1700nm absorption peak, 50mg/mL 10mL QDot PbS-1700-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1800nm absorption peak, 50mg/mL 10mL QDot PbS-1800-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 1900nm absorption peak, 50mg/mL 10mL QDot PbS-1900-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 2000nm absorption peak, 50mg/mL 10mL QDot PbS-2000-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 2100nm absorption peak, 50mg/mL 10mL QDot PbS-2100-abs n-ink
PbS quantum dots, n-type ink, 2200nm absorption peak, 50mg/mL 10mL QDot PbS-2200-abs n-ink


PbS量子ドット（QDotsTM PbS Quantum Dots）

粒子サイズ 2 ～14nm に変更することで 800～2200nm の近赤外（NIR）範囲の光を発光または吸収の調整が可能です。
太陽電池、光検出器および赤外線LEDのアプリケーションにおける光吸収体またはIRエミッターとしての使用に適しています。

Quantum solutions社の量子ドットが使用された産業用カメラVis-SWIR(400-2000nm)がEmberion社より販売されています。

・900-1600nmの放出、800-2200nmの吸収ピークのいずれかを選択可能
・独自の発光/吸収ピーク制御により、最大±5nmを実現（880nm, 950nm, 1250nm, 1550nm などのカスタムが可能）
・高 peak to peak 値の高い結晶性		  
製品イメージ

◆PbS 量子ドットを用いた SWIR カメラへの応用（YouTube動画）

◆フォトダイオードのための PbS 量子ドットの堆積方法（YouTube動画）

（価格・ラインナップ）

製品 サイズ 税別価格 カタログ# データシート
PbS quantum dots, 900nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 100mg お問合せ QDot PbS-900-em
PbS quantum dots, 1000nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1000-em
PbS quantum dots, 1100nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1100-em
PbS quantum dots, 1200nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1200-em
PbS quantum dots, 1300nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1300-em
PbS quantum dots, 1400nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1400-em
PbS quantum dots, 1500nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1500-em
PbS quantum dots, 1600nm peak emission,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1600-em

製品 サイズ 税別価格 カタログ# データシート
PbS quantum dots, 800nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 100mg お問合せ QDot PbS-800-abs
PbS quantum dots, 900nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-900-abs
PbS quantum dots, 1000nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1000-abs
PbS quantum dots, 1100nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1100-abs
PbS quantum dots, 1200nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1200-abs
PbS quantum dots, 1300nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1300-abs
PbS quantum dots, 1400nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1400-abs
PbS quantum dots, 1500nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1500-abs
PbS quantum dots, 1600nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1600-abs
PbS quantum dots, 1700nm peak absorption,
Solid or in toluene/octane		 QDot PbS-1700-abs
PbS quantum dots, 1800nm peak absorption,
Solid or in octane		 QDot PbS-1800-abs
PbS quantum dots, 1900nm peak absorption,
Solid or in octane		 QDot PbS-1900-abs
PbS quantum dots, 2000nm peak absorption,
Solid or in octane		 QDot PbS-2000-abs
PbS quantum dots, 2100nm peak absorption,
Solid		 300mg お問合せ QDot PbS-2100-abs
PbS quantum dots, 2200nm peak absorption,
Solid		 QDot PbS-2200-abs


InAs 量子ドット（QDotsTM InAs Quantum Dots）

InAs（ヒ化インジウム）量子ドットは、脂肪酸でキャップされ、高エネルギー光子から近赤外（NIR）および短波赤外光（SWIR）範囲までの光を吸収します。吸収プロファイルは、ナノ粒子のサイズを変更するだけで調整することが可能です。この材料は、優れた光吸収特性と光電特性を持ち、近赤外（NIR）または短波赤外光（SWIR）イメージセンサーに使用されます。

・鉛フリー、RoHS 準拠： 民生用電子機器、自動車、マシンビジョンアプリケーションへの応用が可能
・速い減衰時間： ToF および LiDAR アプリケーションへの応用が可能
・スピンコートプロセス： 8 インチまたは 12 インチの大型サイズに容易にコートが可能

⇒アプリケーションノート（英語）
⇒アプリケーションノート（日本語）

（価格・ラインナップ）
製品 サイズ 税別価格 カタログ# データシート
InAs quantum dots, 940nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-940-abs
InAs quantum dots, 1000nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1000-abs
InAs quantum dots, 1100nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1100-abs
InAs quantum dots, 1200nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1200-abs
InAs quantum dots, 1300nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1300-abs
InAs quantum dots, 1400nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1400-abs
InAs quantum dots, 1450nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1450-abs
InAs quantum dots, 1500nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1500-abs
InAs quantum dots, 1550nm absorption peak, in toluene or octane 100mg お問合せ QDot InAs-1550-abs


ETL & HTL 材料

Quantum Solutions 社の量子ドット（PbS または InAs）と併用できる ETL （電子輸送層）および HTL （正孔輸送層）材料を開発・提供します。高効率の短波赤外（SWIR）フォトダイオードおよびイメージセンサーの製造が可能になります。

・スピンコーティングまたは他の印刷プロセスにより基板（ガラス、シリコン、CMOS ウェハ）上に簡単に結合することが可能
・従来のイメージセンサーよりも製造コストの削減が可能
・安定動作、長期耐環境性を実現

⇒アプリケーションノート（英語）
⇒アプリケーションノート（日本語）

（価格・ラインナップ）
製品 サイズ 税別価格 カタログ# データシート
ZnO electron transport layer (ETL), solution in ethanol 10mL お問合せ QDot ETL-ZnO
TiO2 electron transport layer (ETL), solution in ethanol 10mL お問合せ QDot ETL-TiO2
SnO2 electron transport layer (ETL), solution in butanol 10mL お問合せ QDot ETL-SnO2
HOMO polymer hole transport layer (HTL), solution in chlorobenzene 10mL お問合せ QDot HTL-POL
PbS hole transport layer (HTL), solution in octane 5mL お問合せ QDot-HTL-PbS

【お問合せ】
試薬機器部
Phone 052-624-4388
https://filgen.jp/
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