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2波長による紫外線とオゾンのダブル効果で有機汚染物質を除去
UVオゾンクリーナー
製品情報 / 製品ラインナップ / テクニカルデータ

※ダメージフリーの乾式洗浄法で、基板に付着している有機汚染物質を、光化学的酸化分解プロセスによって除去できます。

製品情報


特長


【UVオゾン洗浄法の特長】

超音波洗浄だけでは除去できなかった、基板上の有機汚染物質を、容易に除去できます。
湿式洗浄で使用した有機溶剤も除去します。
基板表面に損傷を与えないで、有機汚染物質の除去が可能です。
L-B膜の累積が容易になります。(累積率が大幅UPします。)
大気圧で使用可能な、真空装置不要のドライクリーニング装置です。

【当社の装置の特長】

卓上タイプは、コンパクトサイズで、卓上の省スペースで使用可能です。
ガス置換が可能です。
酸素ガス、窒素ガスに接続し、それぞれ流量を予め設定すると、酸素ガス導入⇒UV洗浄⇒窒素ガス導入(オゾン排気)を自動的に行います。
※酸素によってオゾン発生効率を高めたり、窒素によってオゾンのパージを行うことが可能です。
(直管型ランプ搭載UB253V8)
密閉構造により、オゾン漏れがありません。
装置室内は、0.02MPaの加圧状態に保持することができる密閉構造です。
ガスボンベを接続して使用する場合、外気の流入なく、酸素ガス導入⇒UV洗浄⇒窒素ガス導入(オゾン排気)を自動ですべて行えます。
※オゾン漏れは装置自体の部品寿命を縮めたり、化学・生物などの実験データへの影響を及ぼす場合もあり、大きな問題となることがあります。
(上記以外の機種)
オゾンキラーを接続して使用した場合に、オゾン漏れがありません。
ガスボンベを接続して使用する場合、外気の流入なく、酸素ガス導入⇒UV洗浄⇒窒素ガス導入(オゾン排気)を自動ですべて行えます。
オゾンや紫外線に対する、ヒューマンエラー防止対策も万全
オプションで、オゾン検知システムと扉ロック機構をご用意しています。
(オゾン検知システム)
オゾンキラー使用後、あるいは、窒素パージ後、洗浄室内のオゾン濃度を測定し、安全基準以下であることを確認後に扉を開放します。
(扉ロック機構)
専用のロック機構により、UVランプ点灯中(オゾン発生中)に扉を開放することができなくなります。
(オゾン検知システムと扉ロック機構を連動)
オゾン検知システム+扉ロック機構をオプション装着して連動することで、洗浄室内のオゾン濃度が安全基準以下にならないと、扉を開放することができない様になり、より安全にご使用頂けます。
用途に応じて、特性の異なる2種類のUVランプ(直管型UVランプと高密度高出力グリッド型UVランプ)から、お選び頂けます。

カタログダウンロード




UV253V16

UV253V16W
上記の2種類の低圧水銀ランプについて、溶融石英仕様と合成石英仕様をご用意しており、用途に応じてお選び頂けます。
装置本体はそのままで、あとでランプを交換することも可能です。
※合成石英仕様は、溶融石英仕様に比べ、184.9nm波長光の放出が非常によく(約1.7倍)、洗浄効率が飛躍的に向上する場合があります。
タイマーがデジタル方式で、減数カウントできます。
オプションのオゾンキラー(オゾン分解装置)を接続すれば、オゾンを除去して室内排気することもでき、作業環境への配慮も万全です。
接続は、すべてナイロン製チューブと継ぎ手コネクトによるワンタッチジョイントの為、非常に簡便かつ取回しが楽です。
接続チューブは、ナイロン製の為、自由に長さをカットできます。


UVオゾン洗浄法の原理


UVオゾン洗浄法は、短波長UV光を利用した感光酸化プロセスです。このプロセス中で、フォトレジスト、樹脂、シリコンオイル、フラックス等の有機汚染物質は、短波長のUV照射光を吸収することにより、分解されます。
酸素分子は、184.9nmでオゾンになり、オゾンは253.7nmの波長で分解され、同時に活性酸素を生成します。
253.7nmのUV光はほとんどがハイドロカーボンとオゾンによって吸収されます。
この汚染分子の分解による生成物は活性酸素と反応し、よりシンプルな揮発性分子(ex.CO2,H2O etc.)となり、基板表面から脱離します。
184.9nmと253.7nmの両波長が存在する時、酸素原子が発生し続けオゾンとなり、分解されます。



189.4nm の紫外線をモル当たりエネルギーに換算すると、647KJ/mol となります。
同様に253.7nm の紫外線をモル当たりエネルギーに換算すると、472KJ/mol となります。
有機物の種々な分子の結合エネルギーは右記の通りです。

結合 結合エネルギー
(KJ/mol)
結合 結合エネルギー
(KJ/mol)
O-O 138.9 C=C 607
O=O 490.4 C≡C 828
O-H 462.8 C=O 724
C-C 347.7 C-Cl 328.4
C-H 413.4 H-F 593.2
C-N 291.6 C-F 441.0
C≡N 791 H-Cl 431.8
C-O 351.5 N-H 309.8

アプリケーション


◆薄膜作製前処理
  有機ELのITO膜洗浄
  LB膜累積前の基板洗浄処理
  フォトレジスト洗浄
  シリコンウェハ・レンズ・ミラー・ソーラーパネル・冷間圧延鋼・慣性誘導サブコンポーネント・GaAsウェハの洗浄
  ハイブリッド回路・フラットパネルLCDの洗浄
  プラスチックへのコーティングの接着性向上
  ディッピング法による製膜前の基板洗浄処理

電子顕微鏡関連用途
SEM・TEM試料のコンタミ除去
ダイヤモンドナイフ、ガラスナイフの濡れ性・親和性の向上
支持膜の濡れ性・親水性の向上

その他
AFMカンチレバー
PDMSの表面改質
超高真空用ハーメチックシールの洗浄
フラックス除去
テフロン・バイトン・その他有機材料のエッチング
ガラスのガス抜き
ウェハテープの除去
テスト済みウェハからのインク除去
Ta2O5誘電体膜のアニーリング

お問い合わせ 科学機器部1グループ: si-support@filgen.jp P.052-624-4388 https://filgen.jp/
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