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「直流グロー放電による負グロー相領域内でのプラズマ製膜法」を用いた、主にSEM試料用の導電性薄膜作製装置です。
テクニカルデータ
Silicon Wafer Resist Sample
Direct Magnification: 60,000X
Direct Magnification: 150,000X
Coating Device
Osmium Plasma Coater
Coating Material
Osmium
Coating Thickness
3 nm
Accelerating Voltage
5.0 kV
【お問合せ】
試薬機器部
Phone 052-624-4388
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